mos管工作原理通俗易懂，mos管工作原理这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

(资料图片)

2、P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

3、此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

4、它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。

5、PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低。

6、只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

7、扩展资料PMOS的工作原理与NMOS相类似。

8、因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

9、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

10、同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

11、与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。

12、当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：VGSVTP (PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

13、简单的说MOS管通过沟道导电，沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻，从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断)。

14、具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细。

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